igbt过压击穿后的状态

项目自主研制出满足柔性直流输电装备需求的4500V3000A低通态压降和3300V3000A高关断能力IGBT器件，解决了高压大容量压接型IGBT芯片和器件缺乏的问题高压IGBT芯片和器件的开发周期长，涉及到材料芯片设计芯片工艺器件封装与测试各个环节，需要多学科交叉融合多行业协同开发根据联研院功率半导体。

红表笔接N发射极e2，黑表笔测UVW，万用表显示数值为400左右黑表笔接P，红表笔测UVW，万用表显示数值应为最大各相之间的正反向特性应相同，若出现差异，说明IGBT模块性能变差，应更换当检测IGBT模块损坏时，可能出现击穿短路的情况使用红黑两表笔分别测试栅极G与发射极E之间。

日本东芝开发的IECT利用了“电子注入增强效应”，使之兼有IGBT和GTO两者的优点低饱和压降，宽安全工作区吸收回路容量仅为GTO的110左右，低栅极驱动功率比GTO低两个数量级和较高的工作频率，如图3所示器件采用平板压接式电极引出结构，可靠性高，性能已经达到45KV1500A的水平。

IGBT如何测试漏电流 首先要有高压源， 探头，一般在125度时候测试很少在室温测试将烘烤箱温度设为125度将IGBT模组 CE短接至于烘烤箱内大概一个小时左右模组温度达到125度，上桥测试将探头+接 3 探头接1 下桥测试探头+1 探头接2 注意由于温度较高探头线最好用高温。

正常情况下，CE间正向应显示为导通，反向则显示为截止GE间应呈现高阻态CG间在未加电压时应是截止的，显示高电阻或无穷大如果测试中发现异常读数，如CE间正反向都显示导通或截止，那么该IGBT模块可能已经损坏接着，进行动态特性测试这需要使用专用的IGBT测试仪或示波器通过向IGBT的门。

2 IGBT和可控硅各有其特点IGBT是一种可控的开关元件，而可控硅大多数情况下只能控制开通，不能控制关闭尽管现在有可关断可控硅由于制造工艺和工作原理的不同，IGBT能够在较高的频率下工作大约25KHz左右，而可控硅的频率大多不超过5KHz这是IGBT相对于可控硅的一个优势3 IGBT的缺点。

将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极，红表笔接发射极，此时万用表指针在零位同时触及栅极和集电极，IGBT被触发导通，指针摆向阻值较小方向再触及栅极和发射极，IGBT被阻断，指针回零此时即可判断IGBT是好的三IGBT模块检测注意事项 任何指针式万用表皆可用于检测IGBT注意判断IGB。